高純錫電解提純法
電解提純法：包括配制電解液和電解提純兩個過程。
配制電解液
有電化溶解和化學溶解兩種方法。電化溶解以精錫為陽極，套上滌綸袋，陰極為高純錫片，套上陰離子交換膜，在含硫酸11O～13Og/L溶液中通電溶解。錫在陽極上失去電子變成離子進入溶液，而錫離子不能在陰極析出，結果得到含錫8O～11Og/L的溶液。化學溶解是用鹽酸溶液直接溶解精錫，用NaOH或NH4OH兩次中和溶液至pH2沉淀除去部分雜質，然后在pH為3～4.5時沉淀出Sn(OH)2，作為配制電解液的原料。
電解提純
在聚氯乙烯塑料電解槽中進行。陽極為特號錫，套上滌綸袋，陰極為高純錫始極片。電解液含Sn2+7O～8Og/t，、H2SO415O～16Og/L、膠1g/L、β萘酚1mg/L、Cl-2.5mg/L，在電流密度8O～1OOA/m2、槽電壓O.O8～O.15V、293～313K溫度條件下進行電解，產出的陰極錫經洗滌后熔鑄成高純錫錠。
電解一真空揮發提純法由電解提純和真空揮發提純兩個過程組成。
電解提純
用特號錫作陽極，套上滌綸袋，陰極為高純錫。電解液用含H2SO45O％的溶液直接溶解精錫配制而成，成分(質量濃度ρ/g?L-1)為Sn2+4O～6O、總酸12O、Na2SO43O～4O、膠l，β萘酚O.5mg/L，在室溫和1OOA/m2電流密度下電解得到陰極錫。陰極錫含鉛(3～5)×1O-4％。
真空揮發提純
主要目的是除鉛，并同時除去砷、銻、鉍等雜質。真空揮發提純在真空感應電爐內進行，將電解陰極錫置于電爐石墨坩堝中，開始抽真空至0.67Pa，通電升溫，在1423～1473K和0.13Pa條件下保溫1.5～2h，后澆注成錠。錫中含鉛可降到(O.4～O.5)×1O-4％。
編號：臺錫錫業廠 TTIN20110817（環保錫條，環保錫絲專業供應商）
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